存储芯片市场正迎来拐点。《经济观察报》记者郑辰业长期存在的存储芯片市场正迎来拐点。
11月以来，不少内存芯片概念股持续走强。在披露该子公司生产的内存条已小批量交付后，合生元数据(300857。SZ)从27.6元/股飙升至55.42元/股，涨幅100.65%。雅威的股价(002559。从南韩全资收购GSI并进入存储芯片测试业务的SZ)当月也飙升了59.63%。产品线涵盖SSD固态硬盘，DRAM内存芯片，第一个嵌入存储的移动存储单元，朗科科技(300042)股价。SZ)在11月份的涨幅也高达45.36%。
在相关公司股价回升的背后，是此前“跌停不休”的内存条价格在今年第四季度开始大幅上涨。根据业内知名咨询机构CFM闪存市场的数据，10月份以来，现货市场NANDFlash的价格指数上涨了40%。记者从华南部分内存芯片经销商处也了解到，以三星、西部数据、金士顿为代表的固态硬盘产品价格近几个月都出现了明显的反弹，反弹幅度普遍在100元至130元之间。
有市场观点认为，此轮内存芯片价格“翻盘”是行业内供需双方相互成就的典型结果。对于芯片厂商来说，2022年行业遭受重创后，以三星电子、SK海力士为代表的存储巨头都出现了较大程度的业绩下滑甚至亏损，于是“涨价”“减产”开始成为各家存储厂商的共识。
除了坚定执行去库存策略的上游企业，下游消费电子市场也出现回暖迹象。IDC的研究数据显示，2023年10月23日-11月3日期间，整体PC市场(包括电商平台、官网厂商的笔记本和台式机市场以及线下传统渠道)同比增长1.4%。此外，平板市场销量同比增长13.5%，手机市场销量增长10.2%，显示器市场销量增长5.3%，智能手表(不含儿童手表)销量增长23.6%，手环市场销量增长15.2%。
IDC指出，今年“双11”期间，PC、手机、平板三大主流消费电子终端的需求增长均超出预期，这也是拉动整体智能终端市场的主要原因之一。
CFM闪存市场分析师孙告诉记者，从存储行业供需双方来看，虽然目前相关产品价格仍处于底部区间，但不排除个别下游渠道商会小幅降价以刺激出货量，但这不会改变市场整体上涨的趋势。
大力去库存终将奏效。
受终端需求低迷和产业链库存高企的影响，存储芯片行业正在经历2022年以来的“历史性”困难期。
三星电子三季报显示，该公司存储芯片业务实现营收10.53万亿韩元，同比减少31%，包括存储芯片业务在内的半导体业务部门(DS部门)第三季度净亏损3.75万亿韩元。SK海力士2023财年第三季度实现营收9.0662万亿韩元，营业亏损1.79万亿韩元，净亏损2.19万亿韩元；美光科技2023财年第四财季数据显示，当季营收40.1亿美元，同比下降39.64%，净亏损14.3亿美元。
在a股市场，各大上市存储公司三季度业绩并不理想。赵一创新(603986。SH)2023年前三季度实现营收43.94亿元，同比下降35.08%，净利润4.34亿元，同比下降79.27%。百威存储的营收(688525。SH)2023年前三季度约21.22亿元，同比下降2.88%，归母净亏损约4.84亿元。蒋伯龙(301308。SZ)2023年前三季度实现营收65.79亿元，同比下滑0.73%，净亏损8.83亿元。
“三星、SK海力士、美光、夏夏和西部数据的总损失已经从Q1的100亿美元损失收敛到Q2的85亿美元损失，然后是第三季度的65亿美元损失，累计损失250亿美元。压力可想而知。”孙指出。
在持续亏损之下，扭转财务业绩成为各大存储厂商“唯一”关心的问题。
孙告诉记者，对于原仓储厂来说，减产和控制产能释放是实现业绩反转最快的手段。据CFM闪存市场统计，目前各大存储厂NANDFlash的减产幅度在30%-50%左右，尤其是产能相对较大的成熟工艺产品。各大厂商也对明年的资本支出和产能释放持谨慎态度，需要根据库存水位和盈利情况灵活调整。
“这次下跌周期是近年来持续时间最长、跌幅最大的一次，也给各大原厂带来了前所未有的经营压力。所谓物极必反。就是在这样的高压下，原本竞争激烈的储厂步调一致，强烈的减产和涨价可见一斑。”孙对说:
集邦咨询分析师齐国峰也告诉记者，国际各大存储公司减产主要是为了消除市场上过剩的存储芯片库存，防止存储芯片价格进一步下跌。目前来看，这一举措在第四季度已经初见成效，闪存芯片产品在本季度全面反弹。
除了调整产能，减少库存，不愿继续亏损的存储巨头们也开始一起涨价。
最近有市场消息称，三星电子已经与主要客户签订了采购合同，并在第四季度将合同价格上调了10%-25%。其中，调价最猛的SSD产品合同价格涨幅高达30%。SK海力士也在10月正式宣布将上调DRAM和NAND闪存芯片价格，美光科技也被曝跟进调价。
三大应用市场“升温”
在10月31日举行的三星电子财报电话会议上，公司管理层指出，由于PC/移动设备的高密度产品日益普及、客户库存调整即将完成以及面向AI的高端产品持续强劲，需求环境有所改善。
“行业普遍减产后，市场对行业触底的认识不断扩大，我们收到了大量的购买询价。随着对盈利能力的持续关注，我们继续扩大HBM/DDR5和UFS4.0等先进节点产品的销售。对于那些库存水平相对较高的传统产品，我们通过减产来减少库存。”三星电子高管在财报电话会议上指出。
孙告诉记者，下半年三大应用市场(服务器、移动、PC)回暖，但存储价格的下降也加速了终端设备平均容量的增长，带来了存储的“甜区效应”。
她指出，在三大应用市场中，现阶段手机需求较为明确，全球手机销量逐月回升。在华为强势回归和国产手机产能配置改善的影响下，中国的手机市场也得到了提振。
“从各大手机品牌厂商的FCST来看，预计2024年的销量会比2023年略有增长。预计2023年全球智能手机出货量为11.5亿部，为近年来的最低点，但预计2024年将恢复增长。到12亿单位。同时，今年以来，PC市场需求逐渐好转，渠道库存回归正常水位。在新处理器平台和Windows更新的推动下，明年会有一定的换机需求。预计2024年PC出货量将从2023年14%的下滑恢复到8%的增长，”孙表示。
赵一创新管理层在三季度业绩交流会上也指出，随着减产效应的体现，供需将达到平衡状态，大储价格有望延续反弹趋势，但不太可能大起大落。
“存储分为大存储和小众存储。大存储包括DRAM和3DNand，用于手机、PC和服务器。主要供应商是以三星为代表的国际头部厂商。大存储经历了6-7个季度左右的下跌周期，今年三季度已经到了价格的底部区间。随着各大厂商的不断减产，已经到了供需基本平衡的状态。今年三季度末，大存储出现了一些价格反弹，对小众存储有一定的带动作用，小众存储的价格也在触底反弹，略有回升。”赵一创新的管理分析。
据集邦咨询高级研究副总经理吴雅婷预计，展望2024年，仓储市场将有以下三个担忧:一是减产后，原有库存水平已经开始下降，但库存能否继续转移给买家仍需观望；二是预计原厂产能缓慢增加，若因市况温度回升而提前恢复农业生产率，供需将再次失衡；第三，各终端需求能否满足预期升温，AI相关订单的延续将是重点。
但与此同时，她也向记者强调，由于实质性终端需求并不强劲，现阶段内存芯片上涨趋势的持续性尚不明朗。如果2024年下半年需求如期回暖，尤其是服务器SSD的采购动能将得到提升，加上供应商不会急于恢复产能利用率，加速供需平衡，闪存价格有望呈现全年上涨的格局。
国内仓储的新突破
今年以来，国内企业在两大类存储芯片(DRAM和NANDFlash)上有了新的突破。
2023年11月28日，长信存储正式推出LPDDR5系列产品，包括12Gb LPDDR5颗粒、POP封装的12GBLPDDR5芯片和DSC封装的6GBLPDDR5芯片。
据其官网介绍，该公司自主研发的12GBLPDDR5芯片已经在小米、传音等国内主流手机厂商上得到验证。长信存储指出，DDR5产品的推出将进一步完善公司在DRAM(动态随机存取存储器)芯片方面的产品布局。
DRAM芯片市场一直由三星、SK海力士、美光主导。东海证券在今年9月发布的研究报告中指出，2023年第二季度，三星电子占全球DRAM市场收入的38.14%，SK海力士占32.29%，美光的市场份额也达到25.03%，市场集中度较高。寡头垄断的格局使得国内厂商对DRAM芯片的议价能力非常低，也使得DRAM芯片成为国内限制最严的基础产品之一。
因此，在长信存储推出首款国产高端DRAM产品后，有业内人士对记者表示，DDR5是一款适用于手机和便携设备的高性能内存。与以前的版本相比，它传输数据更快，功耗更低。长信存储实现了国产LPDDR5产品从零到一的突破，对于急需复兴的产业链来说是好事。
此外，在NANDFlash领域，今年9月，长江存储唯一零售存储品牌发布了一款Ti600固态硬盘，采用长江存储原装QLC闪存颗粒，基于自研架构，顺序读取速度高达7000MB/s，提供500GB/1TB/2TB多种容量选择。
长江存储诱导产品线负责人刘术文当时表示，QLC闪存芯片的性能和寿命不断优化，以QLC为存储介质的固态硬盘开始进入零售市场。“NANDFlash技术正在发展成可以堆叠200层或更多层的形式，这意味着存储设备可以存储更多的数据。与此同时，DRAM内存技术也在不断进步，使芯片的尺寸更小(小于1β纳米)，效率更高。目前在这两个领域，国内厂商正在向行业技术引领者的地位发起冲击。”CFM闪存市场分析师戴晓宇告诉记者。不过，也有分析人士向记者强调，在目前先进制程产能设备有限的情况下，未来国产存储芯片200层以上制程产能的扩容需要通过国产半导体设备厂商的技术突破来完成。
上海一家大型券商的半导体研究员也对记者表示，由于国内存储芯片行业起步较晚，技术积累不足，国内大部分厂商都在专注于小众市场，与三大存储巨头竞争。近年来，具有代表性的存储芯片设计制造企业，如赵一创新、长江存储、长信存储、武汉新芯等，在DRAM、NANDFlash等领域逐渐突破技术壁垒，未来国产品牌将继续搅动全球存储芯片市场的竞争格局。"